View : 28 Download: 0

비정질 반도체 As-Te-Ga계의 광흑화 현상및 광구조 변화

Title
비정질 반도체 As-Te-Ga계의 광흑화 현상및 광구조 변화
Other Titles
PHOTODARKENNING AND STRUCTURAL CHANGE OF GLASSY SEMICONDUCTORS As-Te-Ga-SYSTEM
Authors
김미경
Issue Date
1990
Department/Major
교육대학원 과학교육전공물리교육분야
Keywords
비정질 반도체As-Te-Ga계광흑화 현상광구조
Publisher
이화여자대학교 교육대학원
Degree
Master
Advisors
이종록
Abstract
The photostructure of amorphous semiconductor As-Te-Gax for which Se concentration is 5, 15 at% is investigated The thin film samples are prepared by the thermal evaporation mathod. The thin films which are illuminated and annealed are measured with X-ray diffraction, absorption coefficient, band gap energy and SEM. When the thin film are illuminted and annealed, the absorption coefficients are decreased and the band gap energies are increased We can see photodarkening and thermaldarkening from the experimental results. Amorphous thin films which are illuminated and annealed are separated into two different phase from the detection by SEM. The changed structure of phase separation was shown.;3성분계 비정질 반도체 As·Te·Ga계에서 Ga을 5. 15 at.%의 비로 첨가하여 벌크 시료를 만든후 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 저온(93K), 상온(288K)에서 각각 광조사와 열처리후 X-선 회절실험, 광흡수 계수, 광학적 에너지 갭(Eg)을 측정하고 SEM사진을 찍어 광구조 변화를 보았다. 비정질 반도체 박막 시료는 X-선 회절실험에서 비정질임을 관찰 할 수 있었다. 비정질 반도체 박막 시료에 광조사와 열처리를 하면 광흡수 계수, 광학적 에너지 갭의 변화를 관찰 할 수 있었다. SEM 사진으로 부터 광조사, 열처리한 시료에서 각각 분상 구조를 볼 수 있었다.
Fulltext
Show the fulltext
Appears in Collections:
교육대학원 > 물리교육전공 > Theses_Master
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE