Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 이종록 | - |
dc.contributor.author | 문혜성 | - |
dc.creator | 문혜성 | - |
dc.date.accessioned | 2016-08-26T10:08:29Z | - |
dc.date.available | 2016-08-26T10:08:29Z | - |
dc.date.issued | 1989 | - |
dc.identifier.other | OAK-000000016136 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ewha.ac.kr/handle/2015.oak/196774 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.ewha.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000016136 | - |
dc.description.abstract | D.C. electrical conductivity, photoconductivity and optical absorption cofficient experiments on glassy semiconductor P-Ge-Se system, for which the Se concentration is 50, 60, 70, 80 at.% are investigated. The thin film samples are prepared by the themal evaporation form bulk material obtained by melt quenching. By the result of X-ray diffraction experiment, it was Convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. D.C. conductivity are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(0)exp(-Ea/KT). Over the temperature range from about 190K ∼ 380K, the D.C. conductivity of the investigated samples are 3.0×10^(-6) (Ω^(-1) cm^(-1)∼5.4×10^(-11) (Ω^(-1) cm^(-1). D.C. conductivity increases with increases of Se concentration. And the activation energy of conductivity decrease with increases of Se concentration. The optical energy gap E_(g)^(opt) decrease with the Se concentration having the value of range. It is also shown that the value of difference E_(g)^(opt)-ΔE(a), is independent of Se concentration.;3성분계 비정질 유리 반도체 P-Ge-Se계에서,Se을 50,60,70 및 80 at.%의 비로 첨가하여서 bulk시료를 만든 후에 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도(σ)와 광 전기 전도도(σ_(ph)), 장 흡수도(α)를 측정하였다. X선 회절 실험에 의해서 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 직류 전기 전도도(σ)는 약 190K로부터 380K의 온도 범위까지 1/T에 비례하여 σ=σ_(0)exp(-ΔE_(a)/KT)의 관계식을 만족하였다. 이 온도 범위 에서 직류 전기 전도도 값은 3.0×10^(-6)(Ω^(-1)㎝^(-1))∼5.4×10^(-11)(Ω^(-1)㎝^(-1))을 나타내며 Se의 농도가 증가함에 따라서 전기 전도도 값은 증가하였다. 또한 Se의 농도의 증가에 따라 전도도의 활성화 에너지는 감소하였으며 광 전기 전도도는 증가하였다. 광학적 에너지 갭은 Se의 농도가 증가함에 따라 감소하였다. 광학적 에너지 갭과 활성화 에너지 차는 Se의 농도에 관계없이 일정하다. | - |
dc.description.tableofcontents | 목차 = ⅲ 논문개요 = ⅶ Ⅰ. 서론 = 1 Ⅱ. 이론 = 4 A. 직류 전기 전도도 = 6 1. 확장된 상태에서의 전도 = 6 2. Band Tail에서의 전도 = 8 3. Fermi 준위 근처에서의 전도 = 8 B. 광 흡수 계수 = 10 Ⅲ. 시료의 제작 및 연구 방법 = 11 A. 비정질 벌크 시료의 제작 = 11 B. 비정질 박막 시료의 제작 = 11 C. X-선 회절 실험 = 12 D. 직류 전기 전도도의 측정 = 14 E. 장 전기 전도도의 측정 = 14 F. 광 흡수 계수 측정 = 17 Ⅳ. 실험 결과 및 분석 = 18 A. X-선 회절 = 18 B. 직류 전기 전도도 = 18 C. 광 전기 전도도 = 19 D. 광 흡수 계수 = 19 Ⅴ. 결론 = 32 참고문헌 = 33 ABSTRACT = 36 | - |
dc.format | application/pdf | - |
dc.format.extent | 1034809 bytes | - |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 이화여자대학교 교육대학원 | - |
dc.subject | 비정질 | - |
dc.subject | 유리 반도체 | - |
dc.subject | P-Ge-Se계 | - |
dc.subject | 전기 | - |
dc.subject | Glassy Semiconductor | - |
dc.title | 비정질 유리 반도체 P-Ge-Se계의 전기적 및 광학적 특성 | - |
dc.type | Master's Thesis | - |
dc.title.translated | Electrical and Optical Properties of Glassy Semiconductor P-Ge-Se System | - |
dc.format.page | 45 p. | - |
dc.identifier.thesisdegree | Master | - |
dc.identifier.major | 교육대학원 과학교육전공물리교육분야 | - |
dc.date.awarded | 1989. 8 | - |