비정질 유리반도체 As-Te-Ga계의 전기적 및 광학적 특성

Abstract

3 성분계 비정질 유리 반도체 As-Te-Ga 계에서 Ga을 0,5,10,15at.% 의 비로 첨가하여서 bulk 시료를 만든 후에 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도와 광 흡수도를 측정하였다. X 선 회절 실험에 의해서 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 직류 전기 전도도는 약 200K 에서 350K의 온도 범위에서 I/T에 비례하며 δ = δ_(o) exp (-ΔE_(a)/kT)의 관계식을 만족한다. 이 온도 범위에서 그 값은 1.2 X 10＾(-2)(Ω＾(-1))㎝＾(-1) - 1.4 X 10＾(-7)(Ω＾(-1)㎝＾(-1))을 나타내며 Ga 의 농도가 증가함에 따라서 그 값은 증가한다. 또한 Ga의 농도가 증가함에 따라 전도도의 활성화 에너지는 감소한다. 광학적 에너지 gap 은 Ga 의 농도가 증가함에 따라 0.81 eV 에서 0.64 eV 로 감소한다. 광학적 에너지 gap 과 활성화 에너지의 차는 Ga 의 농도에 관계없이 일정하다.;Dc conductivity and optical absorption coefficient of glassy semiconductora As-Te-Ga system are measured as a function of Ga content up to 15 at.%. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation form bulk material obtained by melt quenching. By the result of X-ray diffraction experiment. it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. Dc conductivities are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(o) exp (-ΔE_(a)/KT). Over the temperature range from about 288 K to 358 K. the dc conductivity of the investigated samples are 1.2×10^(-2)(Ω^(-1)cm^(-1)) - 1.4×10^(-7)(Ω^(-1)cm^(-1)). Dc conductivity decreases with increase of Ga concentration. And the activation energy of conductivity decreases with increase of Ga concentration. the optical energy gap E^(opt)_(g) decrease with the Ga concentration having the value of the range. It is also shown that the value of difference E^(opt)_(g)-ΔE_(a) is independent of Ga concentration.