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Amorphous 반도체 Ge-Se-Sb계의 광흑화 현상 및 광구조 변화

Title
Amorphous 반도체 Ge-Se-Sb계의 광흑화 현상 및 광구조 변화
Other Titles
Photodakening and Structural Change of Glassy Semiconductor Ge-Sb-Se System
Authors
김성은
Issue Date
1989
Department/Major
교육대학원 과학교육전공물리교육분야
Keywords
AmorphousGe-Se-Sb계광흑화 현상광구조반도체
Publisher
이화여자대학교 교육대학원
Degree
Master
Abstract
3성분 비정질 유리 반도체 Ge_(40-x) Sb_(x) Se_(60) (x=8, 18 at.%) 박막 시료를 thermal evaporation 방법에 의해 제작한 다음 광조사와 열처리후 X-선 회절 실험 광 흡수 계수 광학적 에너지 갭(Eg)을 측정하고 SEM사진을 찍어 광구조 변화를 보았다. 띠 간격 에너지(band gap energy)에 상응하는 빛으로 광조사하거나 열처리를 하였을때 유리의 무질서도가 증가하여 띠 간격 에너지는 감소하고 흡수단(absorption edge)이 장파장 쪽으로 이동함에 따라 광 흡수 계수가 증가하는 광흑화 현상과 열흑화 현상을 비정질 반도체 박막 시료에 광조사와 열처리를 하여 관찰할 수 있었다. SEM 사진으로 부터 비정질 chalcogenide 반도체 Ge_(40-x) Sb_(x) Se_(60)의 구조가 광조사와 열처리후 다른 두 종류의 조직으로 나뉘어지는 현상 즉 분상(phase separation)을 볼 수 있었다.;The photostructure of amophous semiconductor Ge_(40-X) Sb_(x) Se_(60) for which Sb concentration is 8, 18 at.% is invertigated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation form bulk material obtained by melt quenching. The thin which are illuminated and annealed are measured with X-ray diffraction, absorption coefficient, band gap energy and SEM (scanning electron microscopy). When the thin films are illuminated and annealed the absorption coefficients are increased and the band gap energies are decreased. From the expental result we have confirmed photodarkening and thermaldarkening. It is photodarkening and thermaldarkening that the absorption coefficient is increased and the band gap energy is decreased when the amorphous semiconductor is illuminated and annealed. By the Illumination and annealing disorder of amorphous materials increase, then absorption edge shifts toward the long wavelength. From the SEM, amorphous thin films which are illuminated and annealed are sepatated into two different phase. This is the spinodal phase separation. We can see the changed structure of phase separation.
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