Photoreflectance in AlxGa₁- xAs/GaAs Multiple Quantum Wells

Abstract

광전소자에 많이 이용되는 다중양자우물에서 전자의 에너지 구조를 조사하기 위하여 변조분광학 측정기술의 하나인 광변조반사 측정 장치를 이용하였다. 광원으로는 출력 1,000 W 인 Hg 램프를 이용하였으며, 탑침광을 얻기위하여 촛점거리가 75 ㎝ 인 분광기를 사용하였고, 변조광원으로는 총출력이 2 W 인 아르곤 이온(Ar - ion) 레이저에서 출현 10 ㎽ 의 488 ㎚ 선을 이용하였다. Molecular Beam Epitaxy(MBE)로 생장한 조성비가 다른 AlxGa_(1-x)As / GaAs 다중양자우물들의 내부띠 천이를 x = 0.1 일때는 1.474 eV, 1.485 eV 에서 보았으며 x = 0.27 일때는 1.484 eV 에서 관찰하였다. 그리고 x = 0.3 일때는 1.457 eV, 1.464 eV, 1.534 eV, 1.567 eV 에서 천이에너지를 실험적으로 얻었다. 이 모든 천이의 근원, 즉 무거운 정공과의 천이인지 또는 가벼운 정공과의 천이인지를 알아보기 위하여 Envelope Function Approximation(EFA)를 도입하였다.;The photoreflectance spectroscopic technique was used to investigate the electronic transitions in Al_(x)Ga_(l) -_(x)As / GaAs Multiple Quantum Wells grown by MBE( molecular beam epitaxy). A 1,000W Hg - lamp and a 75cm monochrometer combination were used as a ligth source, A 10 mW 488nm line of Ar^(+) laser was employed as a modulation pump beam. Transition energies of Al_(x)Ga_(1)-_(x)As / GaAs MQW, 1.474eV 1.485eV for x = 0.1, 1.484eV for x = 0.27, 1.457eV 1.464eV 1.534eV 1.567eV for x = 0.3 were obtained. Envelope Function Approximation( EFA ) was used to identify the origin of transition.