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dc.contributor.author이현숙-
dc.creator이현숙-
dc.date.accessioned2016-08-25T02:08:10Z-
dc.date.available2016-08-25T02:08:10Z-
dc.date.issued1988-
dc.identifier.otherOAK-000000022878-
dc.identifier.urihttps://dspace.ewha.ac.kr/handle/2015.oak/173926-
dc.identifier.urihttp://dcollection.ewha.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000022878-
dc.description.abstract3성분계 비정질 유리 반도체 As-Te-Al계에서, Al을 0, 5, 15 및 20 at.%의 비로 첨가하여서 벌크 시료를 만든 후에 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도와 광 흡수도, 광 전기 전도도를 측정하였다. 직류 전기 전도도는 약 200K에서 350K의 온도 범위에서 l/T에 비례하며 σ=σ_(0)exp(-ΔE_(a)/kT)의 관계식을 만족한다. 이 온도 범위에서 그 값은 9.7×10^(-4)(Ω^(-l)㎝^(-1))∼1.35×10^(-7)(Ω^(-l)㎝^(-1))을 나타내며 Al의 농도가 증가함에 따라서 증가한다. 또한 Al의 농도의 증가에 따라 전도도의 활성화 에너지와 광 전기 전도도 및 광학적 에너지 갭은 증가한다. 광학적 에너지 갭과 활성화 에너지와의 차는 Al의 농도에 관계없이 일정하다.;D.C. electrical conductivity, photoconductivity and optical absorption coefficient experiments on glassy semiconductor As-Te- Al system, for which the Al concentration is 0, 0.11, 0.35, 0.50 at.%, are investigated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation method. By the result of X-ray diffraction experiment, it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. D.C. conductivity are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(0) exp(-ΔEa/KT). Over the temperature range from about 200K to 350K, the D.C. conductivity of the investigated samples are 9.7×10^(-4) (Ω^(-1) cm^(-1)) ∼ 1.35×10^(-7) (Ω^(-1) cm^(-1)). D.C. conductivity increases with increase of Al concentration. And the activation energy of conductivity increases with increase of Al concentration. The Optical energy gap E_(8)^(opt) increase with the Al concentration having the value of the range. It is also shown that the value of difference E_(8)^(opt)-ΔE_(a) is independent of Al concentration.-
dc.description.tableofcontents논문개요 = ⅷ Ⅰ. 서론 = 1 Ⅱ. 이론 = 5 A. 직류 전기 전도도 = 6 1. 확장된 상태에서의 전도 = 7 2. Band Tail에서의 전도 = 9 3. Fermi 준위 근처에서의 전도 = 9 B. 광 흡수 계수 = 11 Ⅲ. 시료의 제작 및 연구 방법 = 12 A. 비정질 bulk 시료의 제작 = 12 B. 비정질 박막 시료의 제작 = 13 C. X-선 회절 실험 = 15 D. 직류 전기 전도도의 측정 = 15 E. 광 전기 전도도의 측정 = 18 F. 광 흡수 계수 측정 = 18 Ⅳ. 실험 결과 및 분석 = 20 A. X-선 회절 = 20 B. 직류 전기 전도도 = 20 C. 광 전기 전도도 = 21 D. 광 흡수 계수 = 22 Ⅴ. 결론 = 34 참고문헌 = 35 ABSTRACT = 38-
dc.formatapplication/pdf-
dc.format.extent1572882 bytes-
dc.languagekor-
dc.publisher이화여자대학교 교육대학원-
dc.subject비정질-
dc.subject유리 반도체-
dc.subjectAs-Te-Al계-
dc.subject전기-
dc.subject광학-
dc.subjectGlassy Semiconductor-
dc.title비정질 유리 반도체 As-Te-Al계의 전기적 및 광학적 특성-
dc.typeMaster's Thesis-
dc.title.translatedElectrical and Optical Properties of Glassy Semiconductor As-Te-A1 System-
dc.format.page39 p.-
dc.identifier.thesisdegreeMaster-
dc.identifier.major교육대학원 과학교육전공물리교육분야-
dc.date.awarded1989. 2-
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교육대학원 > 물리교육전공 > Theses_Master
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