비정질 유리 반도체 As-Te-Al계의 전기적 및 광학적 특성

Abstract

3성분계 비정질 유리 반도체 As-Te-Al계에서, Al을 0, 5, 15 및 20 at.%의 비로 첨가하여서 벌크 시료를 만든 후에 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도와 광 흡수도, 광 전기 전도도를 측정하였다. 직류 전기 전도도는 약 200K에서 350K의 온도 범위에서 l/T에 비례하며 σ=σ_(0)exp(-ΔE_(a)/kT)의 관계식을 만족한다. 이 온도 범위에서 그 값은 9.7×10^(-4)(Ω^(-l)㎝^(-1))∼1.35×10^(-7)(Ω^(-l)㎝^(-1))을 나타내며 Al의 농도가 증가함에 따라서 증가한다. 또한 Al의 농도의 증가에 따라 전도도의 활성화 에너지와 광 전기 전도도 및 광학적 에너지 갭은 증가한다. 광학적 에너지 갭과 활성화 에너지와의 차는 Al의 농도에 관계없이 일정하다.;D.C. electrical conductivity, photoconductivity and optical absorption coefficient experiments on glassy semiconductor As-Te- Al system, for which the Al concentration is 0, 0.11, 0.35, 0.50 at.%, are investigated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation method. By the result of X-ray diffraction experiment, it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. D.C. conductivity are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(0) exp(-ΔEa/KT). Over the temperature range from about 200K to 350K, the D.C. conductivity of the investigated samples are 9.7×10^(-4) (Ω^(-1) cm^(-1)) ∼ 1.35×10^(-7) (Ω^(-1) cm^(-1)). D.C. conductivity increases with increase of Al concentration. And the activation energy of conductivity increases with increase of Al concentration. The Optical energy gap E_(8)^(opt) increase with the Al concentration having the value of the range. It is also shown that the value of difference E_(8)^(opt)-ΔE_(a) is independent of Al concentration.