Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 이종록 | - |
dc.contributor.author | 유선옥 | - |
dc.creator | 유선옥 | - |
dc.date.accessioned | 2016-08-26T03:08:43Z | - |
dc.date.available | 2016-08-26T03:08:43Z | - |
dc.date.issued | 1987 | - |
dc.identifier.other | OAK-000000015481 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ewha.ac.kr/handle/2015.oak/196612 | - |
dc.identifier.uri | http://dcollection.ewha.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000015481 | - |
dc.description.abstract | 3 성분계 비정질 유리 반도체 As-Te-Ga 계에서 Ga을 0,5,10,15at.% 의 비로 첨가하여서 bulk 시료를 만든 후에 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도와 광 흡수도를 측정하였다. X 선 회절 실험에 의해서 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 직류 전기 전도도는 약 200K 에서 350K의 온도 범위에서 I/T에 비례하며 δ = δ_(o) exp (-ΔE_(a)/kT)의 관계식을 만족한다. 이 온도 범위에서 그 값은 1.2 X 10^(-2)(Ω^(-1))㎝^(-1) - 1.4 X 10^(-7)(Ω^(-1)㎝^(-1))을 나타내며 Ga 의 농도가 증가함에 따라서 그 값은 증가한다. 또한 Ga의 농도가 증가함에 따라 전도도의 활성화 에너지는 감소한다. 광학적 에너지 gap 은 Ga 의 농도가 증가함에 따라 0.81 eV 에서 0.64 eV 로 감소한다. 광학적 에너지 gap 과 활성화 에너지의 차는 Ga 의 농도에 관계없이 일정하다.;Dc conductivity and optical absorption coefficient of glassy semiconductora As-Te-Ga system are measured as a function of Ga content up to 15 at.%. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation form bulk material obtained by melt quenching. By the result of X-ray diffraction experiment. it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. Dc conductivities are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(o) exp (-ΔE_(a)/KT). Over the temperature range from about 288 K to 358 K. the dc conductivity of the investigated samples are 1.2×10^(-2)(Ω^(-1)cm^(-1)) - 1.4×10^(-7)(Ω^(-1)cm^(-1)). Dc conductivity decreases with increase of Ga concentration. And the activation energy of conductivity decreases with increase of Ga concentration. the optical energy gap E^(opt)_(g) decrease with the Ga concentration having the value of the range. It is also shown that the value of difference E^(opt)_(g)-ΔE_(a) is independent of Ga concentration. | - |
dc.description.tableofcontents | 목차 = ⅲ 논문개요 = ⅵ Ⅰ. 서론 = 1 Ⅱ. 이론 = 5 A. 직류 전기 전도도 = 7 B. 광 흡수 계수 = 13 Ⅲ. 실험 = 14 A. 비정길 bulk 시료의 제작 = 14 B. 비정길 박막 시료의 제작 = 15 C X-선 회절 실험 = 17 D. 직류 전기 전도도 측정 = 18 E. 광 흡수도 측정 = 20 Ⅳ. 결과 및 분석 = 21 A. X-선 회절 = 21 B. 직류 전기 전도도 = 21 C. 광 흡수도 = 28 Ⅴ. 결론 = 34 참고문헌 = 35 ABSTRACT = 38 | - |
dc.format | application/pdf | - |
dc.format.extent | 1068972 bytes | - |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 이화여자대학교 교육대학원 | - |
dc.subject | 비정질 | - |
dc.subject | 유리반도체 | - |
dc.subject | As-Te-Ga계 | - |
dc.subject | 전기 | - |
dc.subject | 광학 | - |
dc.title | 비정질 유리반도체 As-Te-Ga계의 전기적 및 광학적 특성 | - |
dc.type | Master's Thesis | - |
dc.title.translated | Electrical and Optical Properties of Glassy Semiconductors As-Te-Ga System | - |
dc.format.page | 45 p. | - |
dc.identifier.thesisdegree | Master | - |
dc.identifier.major | 교육대학원 과학교육전공물리교육분야 | - |
dc.date.awarded | 1988. 2 | - |