Ag가 첨가된 비정질 유리반도체 As₂S₃의 물리적 특성

Abstract

비정질 유리 반도체 As_(2)S_(3)에 Ag를 0, 5.7, 9.1, 12.3 at%로 첨가하여 thermal evaporation 방법으로 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도, 광 흡수도를 측정하였다. X선 회절 실험 결과 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 273˚K에서 373˚K 온도 영역에서의 직류 전기 전도도는 7.04×10^(-17)(Ω^(-1)·cm^(-1))에서 8.66×10^(-12)(Ω^(-1)·㎝^(-1))의 값을 나타내며 Ag의 농도가 증가함에 따라 직류 전기 전도도는 증가한다. 직류 전기 전도도는 σ=σ_(0)exp(-ΔEa/KT)의 관계식을 만족한다. 광학적 에너지 gap은 Ag의 농도가 증가함에 따라 2.340∼1.785eV로 감소한다. Eg-ΔEa의 값은 Ag의 농도에 관계없이 거의 일정하다;D.C. electrical conductivity, optical absorption experiments on glassy semiconductor As_(2)S_(3) + Ag for which the Ag concentration is 0, 5.7, 9.1, 12.3 at. % are investigated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation method. By the result of X-ray diffraction experiment, it was convinced that each samples was amorphous semiconductor. Over the temperature range from 273˚K to 373˚K, the d.c. conductivity of the investigated samples are 8.66×10^(-12) (Ω^(-1)cm^(-1)) -7.04×10^(-17) (Ω^(-1) cm^(-1)). As Ag concentration increases, the electrical d.c. conductivity increases. D.C. conductivities are proportional to inverse of temperature and satisfies the relation σ = σ_(0)exp(-ΔEa/KT). The optical energy gap decreases with the Ag concentration having the value of the range from 2.34 eV to 1.79 eV. It is also shown that the value of difference Eg-ΔEa is independent of Ag concentration.