비정질 반도체 Si_x (As₂Te₃)_1-x의 물리적 성질 연구

Abstract

Ⅳ_(A)족 원소 Si와 Ⅴ족 원소 As와 Ⅵ족 원소 Te등의 원소를 Si_(x)(As_(2) Te_(3))_(1-x)의 비율로 하여 시료 4가지를 제작하고, 이들 시료의 비정질 유무는 X-Ray diffractometer로 회절각 θ˚= 10˚∼70˚범위에서 각각 조사한 바 모두 비정질임이 확인되었다. 또 300˚k이상과 300˚k이하에서 각각 측정한 D·C conductivity는 그값이 300˚k 이상인 경우 2.1×10^(-13)Ω^(-1)㎝^(-1)∼9.27×10^(-12)Ω^(-1)㎝^(-1) 300˚k 이하인 경우는 4.53×10^(-13)Ω^(-1)㎝^(-1)∼3.66×10^(-12)Ω^(-1)㎝^(-1) 이었으며 이들 시료 D·C conductivity는 각 영역에서 대체로 1/T에 비례한다.;For samples have been made of composition ratio Si_(x)(As_(2)Te_(3))_(1-x), by the method of mixing Ⅳ-Si and V-As with Ⅵ-Te. All the sample of amorphous-semiconductor has been examined by diffraction pattern of diffractometer in the range of angle θ = 10˚-70˚ The structure of the samples was defined to be amorphous. By D.C conductivity which was measured above 300˚K and below 300˚K, the results of above 3000˚K is 2.1 × 10^(-13) Ω^(-1)cm^(-1)∼9.27 ×10^(-12) Ω^(-1)cm^(-1) the results of below 300˚K is 4.53 ×10^(-13) Ω^(-1)cm^(-1)∼3.66×10^(-12) Ω^(-1)cm^(-1) D.C conductivity of all the samples is nearly proportional to 1/T.