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dc.description.abstractAs device sizes continue to shrink, to extract the effective channel length(L_eff) for device analysis is very important. L_eff extraction methods are I-V method and C-V method but in this paper we selected C-V method. C-V method which uses the proportion of channel length and gate capacitance, achieves L_eff by extracting a unique channel length independent extrinsic overlap length(△L) at a critical gate bias point. In this paper, we conducted an experiment on two different C-V methods and confirmed that an experimental error is very small. L_eff extracted from experiment is compared with L_eff simulated from a two-dimensional (2-D) device simulator, and the accuracy of C-V method for L_eff extraction is analyzed. This paper demonstrated that surface potential difference is the decisive factor for L_eff extraction. Therefore very simple C-V method is able to extract L_eff easily but it extracts shorter L_eff than real L_eff under the influence of surface potential.;MOSFET이 소형화됨에 따라서 소자 분석을 위한 effective channel length(L_eff)의 추출은 중요하게 이루어지고 있다. L_eff를 추출하는 방법으로는 I-V 방법과 C-V 방법이 있지만 본 논문에서는 C-V 방법을 채택하였다. C-V 방법은 channel length와 gate capacitance가 비례함을 이용한 방법으로 critical gate bias point에서 channel length에 영향 받지 않는 extrinsic overlap 영역의 길이(△L)를 구하여, 그것과 gate length(Lg)와의 차이로 L_eff를 추출하게 된다. 본 논문에서는 서로 다른 두 개의 C-V 방법에 대해 실험을 수행하여 실험값의 오차가 매우 작음을 확인하였다. 그리고 실험으로 추출한 값과 2차원 소자 시뮬레이터의 결과를 비교하여 C-V 방법의 정확도를 분석하였다. 본 논문에서는 surface potential difference가 C-V 방법의 L_eff를 결정하는 가장 큰 요소임을 증명하였으며, 그것은 doping profile에 따라서 달라짐을 확인하였다. 매우 간단한 방법인 C-V 방법은 쉽게 L_eff를 추출할 수 있지만, surface potential의 영향을 받음으로 실제 L_eff보다 작게 추출된다.-
dc.description.tableofcontentsI. 서론 = 1 II. L_eff의 정의 및 추출 방법 = 2 A. L_eff의 정의 = 2 B. L_eff 추출하기 위한 I-V 방법 = 4 1. Channel resistance 방법 = 4 2. Shift-and-Ratio 방법 = 7 C. L_eff 추출하기 위한 C-V 방법 = 8 2. 방법1 = 8 2. 방법2 = 9 III. Gate Capacitance 측정 결과 및 L_eff 추출 = 11 A. 소자 및 측정 = 11 B. Gate Capacitance 측정 결과 분석 = 12 C. C-V 방법을 이용하여 L_eff 추출 = 16 IV. 시뮬레이션 결과 및 분석 = 19 A. C-V 시뮬레이션 = 19 B. 결과 및 토론 = 22 1. Surface potential difference 시뮬레이션 및 분석 = 22 2. Doping profile에 따른 시뮬레이션 및 분석 = 26 3. Carrier concentration 시뮬레이션 및 분석 = 27 V. 결론 = 31 참고 문헌 = 32 영문 초록 (ABSTRACT) = 34-
dc.format.extent656354 bytes-
dc.publisher이화여자대학교 과학기술대학원-
dc.titleMOSFET의 Effective channel length를 추출하기 위한 C-V방법의 타당성 연구-
dc.typeMaster's Thesis-
dc.format.pageviii, 35 p.-
dc.identifier.major과학기술대학원 정보통신학과- 2-
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