TGVTD 법에 의한 CdTe/InSb 박막 생장 및 특성조사

Abstract

박막을 생장할때에 박막의 성질에 영향을 미치리라 예상되는 여러 변수들 중에서 기판에 대한 원료 물질의 입사율, 입사하는 원료물질의 열적 활성화 에너지, 기판온도등의 영향에 따른 박막의 특성을 조사 해 보기 위해 간단히 제작된 TGVTD(Temperature Gradient vapor Transport Deposition)장비를 이용하여 P-InSb(111) 기판위에 CdTe 박막을 기판과 원료 물질의 온도를 변화 시켜가며 생장 하였다. X-선 회절 실험으로 생장된 박막의 결정성과 결정 방향을 조사하였다. DCRC(Double Crystal X-ray Rocking Curve)측정으로 반치폭을 조사하여 다른 방법으로 생장한 CdTe의 결정성을 비교 하였다. SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 생장된 박막의 두께와 경계층의 상태를 관찰 하였으며, AES(Auger Electron spectra)을 통해 박막의 표면과 경계면의 구성성분을 분석 하였다. Raman 산란으로 CdTe의 진동 모드를 관측하였고, 박막의 질과 박막의 결정 결함을 조사하기 위해 15˚K의 저온에서 Photoluminescence 측정을 하였다. 박막의 운반자 농도와 운반자 type을 Capacitance-Voltage측정으로 조사 하였다.;CdTe epitaxial films were grown by a simple method of TGVTD (temperature gradient vapor transport deposition) on p-InSb(111) substrates. The grown film was found to be a CdTe (111) orientation. The thickness and interfacial layer are investigated by SEM. The composition of epitaxial film and CdTe/InSb heterointerface were observed by the Auger electron spectroscopy. Raman spectroscopy showed the optical phonon modes of the CdTe. Photoluminescence measurements were done to observe the sample quality and the presence of chemical impurities and native defects in the CdTe films. Room temperature capacitance-voltage measurements showed that the undoped CdTe layers were n-type with Nd-Na (Net carrier density) in the range of 10^(16) cm^(-3).