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dc.contributor.advisor이종록-
dc.contributor.author유경실-
dc.creator유경실-
dc.date.accessioned2016-08-26T10:08:48Z-
dc.date.available2016-08-26T10:08:48Z-
dc.date.issued1989-
dc.identifier.otherOAK-000000016101-
dc.identifier.urihttp://dspace.ewha.ac.kr/handle/2015.oak/196958-
dc.identifier.urihttp://dcollection.ewha.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000016101-
dc.description.abstractD.C. electrical conductivity, ptoconductivity and optical absorption cofficient experiments on glassy semiconductor As-Ge-Se system, for which the Se concentration is 52.2, 55.6, 63.6, 79 at.%, are investigated. The thin film samples are prepared by the thermal. evaporation form bulk material obtained by melt quenching. By the result of X-ray diffraction experiment, it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor. D.C. conductivity are proportional to inverse of temperature and satisfied the relation σ = σ_(0) exp(-ΔEa/KT). Over the temperature range from about 230K∼370K, the D.C. conductivity of the investigated samples are 2.5×10^(-9) (Ω^(-1) cm^(-1)) - 7.0×10^(-13) (Ω^(-1) cm^(-1)). D.C. conductivity increases with increases of Se concentration. And the activation energy of conductivity decrease with increases of Se concentration. The optical energy gap E^(opt)_(g) decrease with the Se concentration having the value of range. It is also shown that the value of difference E^(opt)_(g)-ΔE_(a) is independent of Se concentration.;3성분계 비정질 유리 반도체 As-Ge-Se 계에서 S를 52.2, 55.6, 63.6, 및 79 at.%의 비율로 첨가하여 화합물을 만들고 이들을 각각 0 ℃∼950 ℃에서 용융 한 후 얼음물에 급냉시켜 시료를 얻었다. 이를 thermal evaporation 방법에 의해서 박막시료를 만들어 직류 전기 전도도와 광 전기 전도도, 광 흡수도를 측정하였다. X선 회절 실험에 의해서 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 직류 전기 전도도는 약 230K 에서 370K의 온도 범위에서 l/T에 비례하며 σ=σ_(0)exp(-ΔE_(a)/kT)의 관계식을 만족한다. 이 온도 범위에서 그 값은 2.5×10^(-9)(Ω^(-l)㎝^(-1))∼7.0×10^(-13)(Ω^(-l)㎝^(-1))을 나타내며 Se 의 농도가 증가함에 따라 전도도의 활성화 에너지는 감소하였다. 광학적 에너지 갭은 Se 의 농도가 증가함에 따라 0.47ev 에서 0.15ev로 감소하였다. 광학적 에너지 갭과 활성화 에너지의 차는 Se 의 농도에 관계없이 일정하였다.-
dc.description.tableofcontents목차 = ⅲ 논문개요 = ⅷ Ⅰ. 서론 = 1 Ⅱ. 이론 = 5 A. Chalcogenide 유리 반도체 gap 내의 국제화 상태 = 6 B. 직류 전기 전도도 = 7 1. 확장된 상태에서의 전도 = 8 2. Band Tail 에서의 전도 = 11 3. Fermi level 근처에서의 전도 = 11 C. 광 흡수 계수 = 13 Ⅲ. 시료의 제작 및 연구 방법 = 14 A. 비정질 bulk 시료의 제작 = 14 B. 비정질 박막 시료의 제작 = 15 C. X-선 회절 실험 = 16 D. 직류 전기 전도도의 측정 = 18 E. 광 전기 전도도의 측정 = 19 F. 광 흡수 계수 측정 = 19 Ⅳ. 실험 결과 및 분석 = 23 A. X-선 회절 = 23 B. 직류 전기 전도도 = 23 C. 광 전기 전도도 = 24 D. 광 흡수 계수 = 25 Ⅴ. 결론 = 37 참고문헌 = 39 ABSTRACT = 42-
dc.formatapplication/pdf-
dc.format.extent1050739 bytes-
dc.languagekor-
dc.publisher이화여자대학교 교육대학원-
dc.subject비정질-
dc.subject유리 반도체-
dc.subjectAs-Ge-Se 계-
dc.subject전기-
dc.subject광학-
dc.subjectGlassy Semiconductor-
dc.title비정질 유리 반도체 As-Ge-Se 계의 전기적 및 광학적 특성-
dc.typeMaster's Thesis-
dc.title.translatedElectrical and optical properties of Glassy Semiconductor As-Ge-Se system-
dc.format.page52 p.-
dc.identifier.thesisdegreeMaster-
dc.identifier.major교육대학원 과학교육전공물리교육분야-
dc.date.awarded1989. 8-
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교육대학원 > 물리교육전공 > Theses_Master
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