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dc.description.abstractMRAM has several advantages of unlimited read/write endurance, low operation voltage, high density and high speed as compared with other semiconductor memories. Because of these advantages, it is possible that MRAM substitutes for present commercial semiconductor memories. MRAM architecture based on magnetoresistance(GMR or MTJ) cell is studied widely, but the existing sensing scheme of other semiconductor memories is not suitable for MRAM architecture due to several characteristics of magnetoresistance. Therefore, we need a new sensing scheme for MRAM. In this thesis, we propose a twin cell structure and a current source bit-line clamped sense amplifier for MRAM. The advantage of this sensing scheme is that it clamped sense amplifier for MRAM. The characteristic of this sensing scheme is that it meets the specifications of MTJ cell. That is, after sensing, it keeps on the state of bit lines.;MRAM은 반 영구적인 수명과, low power, high density, high speed의 장점을 가지고 있어, 지금까지 개발된 반도체 메모리 제품의 대체 가능성이 매우 높다. 현재, MRAM에 사용되는 자성 물질(Giant MagnetoResistance, GMR)의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 그러나, 새롭게 개발되고 있는 GMR의 몇 가지 특성 때문에, 기존의 메모리 소자에서 사용되어 왔던 cell 구조 및, Sense Amplifier를 그대로 적용하는 것은 한계가 있어, 새로운 cell 구조와 그에 적합한 sensing scheme이 필요하다. 본 논문에서는 MTJ material를 사용한 MRAM에 twin cell pair structure와 current source bit line clamped sense amplifier를 제안한다. 이 sensing scheme은 MTJ cell의 특성을 유지하면서, sensing 후 bit line의 signal을 파괴하지 않고 그대로 유지시키는 특성을 지닌다.-
dc.description.tableofcontentsI. 서론 = 1 II. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) = 2 A. Comparison of characteristics of MRAM and other semiconductor memories = 2 B. Magnetoresistance Specification = 5 1. GMR&MTJ = 5 2. Data Write/Read Mechanism for MRAM = 7 III. MRAM Sensing Scheme = 9 A. Unit Cell Architecture = 9 B. Sensing Scheme = 9 1. Current Source = 11 2. Sense Amplifier = 11 C. HSPICE simulation = 13 1. Size Optimization = 13 2. HSPICE Simulation Result = 13 3. Margin Test = 16 IV. MROM의 구현 = 18 A. MROM의 구현 = 18 1. Cell Structure = 18 2. Sense Amplifier = 22 3. Full Circuit = 22 B. HSPICE Simulation Result = 25 V. 결론 = 29 Reference = 30-
dc.format.extent1029963 bytes-
dc.publisher이화여자대학교 과학기술대학원-
dc.title(A) current source bit line clamped sense amplifier for MRAM-
dc.typeMaster's Thesis-
dc.format.page34 p.-
dc.identifier.major과학기술대학원 정보통신학과- 2-
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