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생장법에 따르는 CdTe 반도체의 성질

Title
생장법에 따르는 CdTe 반도체의 성질
Other Titles
(The) Properties of CdTe semicondustor grown by bridgman method and THM
Authors
閔丙珠.
Issue Date
1982
Department/Major
대학원 물리학과
Keywords
생장법CdTe반도체
Publisher
이화여자대학교 대학원
Degree
Master
Abstract
CdTe single crystals are grown by Bridgman method and THM (travelling heater method) and their electrical properties are measured. For the Bridgman crystal, resistivity, Hall mobility and hole concentration are 2.1×10^(5) Ω·cm, 800^cm(2)·/V·sec. 3.8×10^(10)cm^(-2) at 77K, and 5.4×10^(3)Ω·cm, 17cm^(2)·/V·sec., 6.7×10^(12) cm^(-3) at 300K, respectively. In the THM crystal, resistivity, Hall mobility and hole concentration are 4.6×10^(3) Ω·cm, 860 cm^(2)/V·sec 1.6×10&(12) cm^(-3) at 77K and 1.6×10 Ω·cm, 460 cm^(2)·/V·sec, 8.7×10^(14) cm^(-3) at 300K, respectively. The activation energies are 0.17eV for Bridgman sample 0.04geV and 0.26eV in the THM sample; and 0.50eV is obtained for THM crystal using DLTS (deep level transient spectroscopy) measurement.;Bridgman법과 THM(travelling heater method)으로 CdTe 단결정을 생장시키어서 그 전기적 성질을 측정하였다. idgman법 K에서 각각 2.1×10^(5) Ω·cm, 800cm^(2)/V·sec, 3.8×10^(10)cm^(-3)이며 300K에서는 각각 5.4×10^(3)Ω·cm, 17cm^(2)/V·sec, 6.7×10^(12)cm^(-3)이다. THM으로 생장한 시료는 n형으로 비저항, Hall 이동도, 전자 농도는 77K에서 각각 4.6×10^(3)Ω·cm, 860cm^(2)/V·sec, 1.6×10^(12)cm^(-3)이며, 300K에서 1.6×10Ω·cm, 460cm^(2)/V·sec, 8.7×10^(14)cm^(-3)이다. Bridgman법으로 생장된 시료의 활성화 에너지는 0.17eV이고, THM법으로 생장된 시료의 활성화 에너지는 0.049eV와 0.26eV이며, DLTS(deep level trasient spectroscopy) 법에 의한 활성화 에너지는 0.50eV이다.
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일반대학원 > 물리학과 > Theses_Master
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