SSD법 및 excess-in solution법으로 생장시킨 InP 단결정의 PL 특성에 관한 연구

Abstract

주석 (Sn)을 첨가하여 SSD법으로 생장시킨 InP:Sn 결정과 불순물을 첨가하지 않고 SSD법과 Excess-IN soution법으로 각각 생장시킨 InP 결정의 PL 특성을 조사하였다. 10-100K 온도 범위에서 세 시료의 PL 스펙트럼을 각각 취하여 11K에서 측정한 LEC-InP 결정의 PL 스펙트럼과 비교하였다. 두 시료 (SSD InP:Sn과 Excess-In solution InP )에서는 세 개의 peak이 관측되었으나 undoped SSD- InP시료에 대해서는 두 개의 peak만이 관측되었다. 1.41eV의 PL peak은 exciton 재결합에 의한 것으로 생각되며 1.37-1.38eV 및 1.33eV peak은 donor-acceptor pair 재결합 또는 band-to-acceptor 천이에 기인한 것으로 추정된다. 불순물을 첨가하지 않은 SSD-InP 시료의 1.41eV 발광 중심의 활성화 에너지는 온도에 따르는 PL 강도 변화로부터 결정하였으며 50 meV임을 알았다.;Photoluminescence spectra from a Sn- doped SSD-grown InP crystal and nominally undoped SSD-grown and Excess-In Solution - grown InP crystals, respectively, were investigated. Photoluminescence spectra were taken from the three samples, respectively, in the temperature range of 10-100k, and compared with the spectrum from a LEC-grown Inp sample. Three PL peaks were observed in two of the samples, but one of the three peaks was missed in the undoped SSD sample. The 1.41eV PL peak may be due to exciton recombination, and the 1.37-1.38eV and 1.33eV PL peaks are due to donor-acceptor pair recombinations or to band- to- acceptor transitions. The activation energy of the 1.41eV PL center in the undoped SSD-InP sample, 50meV, was determined from the tempera-ture dependency of PL intensity.