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LPE 법으로 생장시킨 GaAs의 전기적 특성

LPE 법으로 생장시킨 GaAs의 전기적 특성
Other Titles
(The) Electrical Properties of GaAs grown by LPE
Issue Date
대학원 물리학과
LPE 법GaAs전기적 특성Electrical Properties
이화여자대학교 대학원
LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 생장시킨 undoped GaAs 의 전기적 특성에 대하여 조사하였다. Hall 이동도의 carrier 농도 의존성으로부터 보상비(compensation ratio)가 0.6 정도 되는 것을 알 수 있었으며, 이는 측정된 시료들이 고도로 보상되어 있음을 나타낸다. 보상된 시료의 전기적 성질의 온도 의존성을 조사한 결과 110K ∼ 350 K의 온도 범위에서 이동도는 8.8 X 10^(3)∼4.2 X 10^(3)㎠/ V·sec,car·rier 농도는 1.1 X 10^(16)∼1.3 X 10^(16)㎝^(-3), 비저항은 6.2 X 10^(-2)∼1.2 X 10^(-1)Ω·㎝이었다. 초기 생장 온도가 850℃ 이며 과냉각 온도( supercooling temperature)를 각각 3℃, 5℃ 및 7℃ 로 변화시키면서 생장된 시료들의 전기적 특성을 조사하였는데, 과냉각 온도가 증가함에 따라 carrier 농도가 증가하는 경향을 보였다. 또한 시료의 생장 두께에 따른 변화를 조사한 결과, 시료의 표면보다는 기판쪽으로 갈 수록 이동도는 증가하며 carrier 농도가 감소하는 경향을 나타냈다.;The electrical properties of undoped LPE-grown GaAs were investigated. From the Hall mobility dependence on the carrier concentration, it was shown that the compensation ratio was about 0.6. The temperature dependence of electrical properties were carried out in the range of 110 - 350K and the mobility changes were 8.8×10^(3) - 4.2×10^(3) ㎠/V·sec, carrier concentration and resistivity changes were 1.1×10^(16) - 1.3×10^(6) cm^(-3), 6.2×10^(-2) - 1.2×10^(-1) ohm·cm, respectively. The electrical properties of the three samples were investigated which were grown for the different supercooling temperature of 3℃, 5℃, and 7℃ at the same initial temperature 850℃, along the increase of supercooling temperature, the carrier concentration changes were also tend to increase.
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