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비정질 반도체 P-Ge-Se계의 광흑화 현상 및 광구조 변화

Title
비정질 반도체 P-Ge-Se계의 광흑화 현상 및 광구조 변화
Other Titles
PHOTODARKENNING AND STRUCTURAL CHANGE OF GLASSY SEMICONDUCTOR P-Ge-Se-SYSTEM
Authors
김혜영
Issue Date
1989
Department/Major
교육대학원 과학교육전공물리교육분야
Keywords
비정질반도체P-Ge-Se계광흑화 현상광구조
Publisher
이화여자대학교 교육대학원
Degree
Master
Abstract
The photostructure of amorphous semiconductor PGeSex for which Se concentration is 50, 60, 70, 80, at% is inverstgated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation mathod. The thin films which are illuminated and annealed are measured with X-ray diffraction, absorption coefficient, band gap energy and SEM. When the thin film are illuminated and annealed. The absorption coefficients are increased and the band gap energies are decreased. We can see photodarkening and thermaldarkening from the experimental results. From the SEM, amorphous thin films which are illuminated and annealed are separated into two different phase. we can see the changed structure of phase separation.;성분계 비정질 반도체 P-Ge-Se계에서 Se을 50, 60, 70및 80 at%의 비로 첨가하여 bulk 시료를 만든후 thermal evaporation 방법에 의해서 박막 시료를 만들어 광조사와 열처리후 X-선 회절실험, 광 흡수 계수, 광학적 에너지 갭(Eg)을 측정하고 SEM 사진을 찍어 광구조 변화를 보았다. 비정질 반도체 박막 시료에 광조사와 열처리를 하면 광 흡수 계수는 증가하고 광학적 에너지 갭이 감소하는 광흑화, 열흑화 현상을 관찰 할 수 있었다. SEM 사진으로부터 광조사와 열처리한 시료에서 각각 변화된 분상 구조를 볼수 있었다.
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교육대학원 > 물리교육전공 > Theses_Master
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